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            英特爾已悄悄將MRAM商用?三星緊追其后

            來源: 鉅亨網 2018/12/21 瀏覽量:4372 關鍵詞: 英特爾 三星

            在第 64 屆國際電子器件會議 上,全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。

            Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機存取存儲,是一種非易失性存儲技術,從 1990 年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力,具有閃存的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸 DRAM,但平均能耗遠低于 DRAM,而且基本上可以無限次地重復寫入。

            英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實現長達 10 年的記憶期,并可在超過 106 個開關周期內實現持久性。并且英特爾在其 22 FFL 工藝中,描述 STT-MRAM非易失性存儲的關鍵特性。英特爾稱之其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術”。

            這項技術可相當于“生產準備就緒”的階段,英特爾并沒有向任何代工客戶透露該流程資訊,但從多個訊息源來看,目前正在出貨的商品中已經采用這項技術。

            至于三星也稱其 8Mb MRAM 的續航能力為 106 次,記憶期為 10 年。而三星技術最初將用于物聯網應用。三星研發中心首席工程師 Yoon Jong Song 表示,在將其用于汽車和工業應用之前,可靠性必須提高。三星已成功將技術從實驗室轉移到工廠,并將在不久的將來商用化。

            三星并在 28nm FDSOI 平臺上宣稱,在可擴展性、形狀依賴性、磁性可擴展性等方面來衡量,STT-MRAM 目前被認為是最好的 MRAM 技術。

            隨著存儲產業朝向更小的節點轉變,在技術上面臨著嚴峻的可擴充性挑戰。MRAM 除了被視為能夠取代傳統存儲芯片 DRAM 和 NAND 的候選人,還被視為一項充滿吸引力的嵌入式技術,可以替代閃存和嵌入式 SRAM。

            主要在于它具有快速讀取寫入時間,高耐用性和優秀的保留性。嵌入式 MRAM 被認為特別適用于例如物聯網設備之類的應用,也趕搭上 5G 世代的列車。

            隨著制造成本下降以及其他存儲技術面臨可擴展性挑戰,嵌入式 MRAM 正獲得更多消費性產品的關注。重要的是,隨著新工藝技術的發展,SRAM 單元的尺寸不會隨著剩余的工藝而縮小,從這點來看,MRAM 變得越來越有吸引力。 

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